Introduzione alla crescita dei cristalli e strati epitassiali da fase vapore

di Giovanni Attolini | Aracne 2013

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Descrizione

Un libro che introduce il lettore alla crescita da fase vapore di cristalli e strati epitassiali. L'intenzione dell'autore è di rendere il lettore in grado di preparare cristalli e strati epitassiali di composti semiconduttori. Nella prima parte si parla della crescita di cristalli massivi per sublimazione e per trasporto chimico. Nella seconda parte si parla della crescita di strati epitassiali, introdotta: nei suoi aspetti più fondamentali, attraverso la descrizione delle apparecchiature e come esempio la crescita e lo studio dell'eterostruttura GaAs/Ge. In entrambi i casi sono descritti gli apparati sperimentali con sufficiente dettaglio per poterli realizzare. Le illustrazioni con le immagini si riferiscono ad apparecchiature realizzate all'Istituto IMEM (ex Maspec) e a cristalli cresciuti dall'autore.

Dettagli

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  • Anno edizione:
  • Giovanni Attolini
  • Aracne
  • -
  • 2013
  • In commercio dal:
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  • EAN:
  • 24 gennaio 2013
  • 172 p.
  • ITA
  • 9788854857711

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